实现超低导通电阻的新一代双极MOSFET
发布日期：2025-07-24来源：
近年来，为了支持工业设备和基站的电机所使用的24V输入，MOSFET作为用于驱动的器件，需要具备考虑到电压稳定裕度的、40V和60V的耐压能力。此外，为了进一步提高电机的效率并减小尺寸，对于MOSFET还提出了更低导通电阻和高速开关工作的要求。
在这种背景下，又开发出在Nch中融入新微细工艺的第6代40V和60V耐压的MOSFET。通过这种组合，使在支持24V输入的±40V和±60V耐压级别拥有了业内先进的Nch+Pch双极MOSFET产品。此外，为了满足更广泛的需求，还开发出+40V和+60V耐压的“QH8Kxx / SH8Kxx系列（Nch+Nch）”，产品阵容已达12款。
本系列产品采用新工艺，实现了超低的导通电阻，±40V耐压产品的导通电阻比普通产品低61%（双极MOSFET的Pch部分比较），有助于进一步降低各种设备的功耗。此外，通过将两枚器件集成到一个封装中，有助于通过减少安装面积从而实现设备的小型化，还有助于减少器件选型（Nch和Pch的组合）的时间。
今后，还会面向要求更高耐压的工业设备开发100V和150V耐压产品，以扩大本系列产品的阵容，通过降低各种应用的功耗和实现小型化来助力解决环境保护等社会问题。
＜新产品特点＞
1．实现超低导通电阻
在此次开发的新的双极MOSFET 中，采用了新工艺的、±40V耐压的产品与普通产品相比，Pch部分的导通电阻降低多达61％，Nch部分的导通电阻也降低达39％，有助于降低各种设备的功耗。
2. 有助于实现设备的小型化和缩短设计周期
通过在一个封装中内置的两枚器件，有助于设备的小型化和减少器件选型的时间。在小型化方面，如果将以往的Nch+Pch双极MOSFET（SOP8）替换成新产品（TSMT8），安装面积可减少75%。
＜新产品特点＞
1．实现超低导通电阻
在此次开发的新的双极MOSFET 中，采用了新工艺的、±40V耐压的产品与普通产品相比，Pch部分的导通电阻降低多达61％，Nch部分的导通电阻也降低达39％，有助于降低各种设备的功耗。
2. 有助于实现设备的小型化和缩短设计周期
通过在一个封装中内置的两枚器件，有助于设备的小型化和减少器件选型的时间。在小型化方面，如果将以往的Nch+Pch双极MOSFET（SOP8）替换成新产品（TSMT8），安装面积可减少75%。